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半導(dǎo)體工業(yè)新材料、新工藝、新產(chǎn)品的影響

發(fā)布于：02-11



現(xiàn)在，半導(dǎo)體工業(yè)正處在一個(gè)新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)：摻雜雜質(zhì)的分布輪廓正在向納米水平靠近，其分布會(huì)嚴(yán)重影響器件性能。這就要求我們能夠?qū)㈦s質(zhì)擴(kuò)散和活化程度控制在前所未有的水平上，包括提高活化程度和減小熱預(yù)算等要求。???



“柵極堆棧結(jié)構(gòu)、襯底材料和接合形成方法都會(huì)出現(xiàn)新的變化?！盇pplied?Materials前段產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Randhir?Thakur說(shuō)，“以上各領(lǐng)域都會(huì)出現(xiàn)新材料、新工藝、新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)或者新結(jié)構(gòu)。如果應(yīng)變硅、提升源極和SiON的工藝整合能夠繼續(xù)推動(dòng)每年17%的性能增長(zhǎng)速度，我們就會(huì)延遲對(duì)高k材料的需求。實(shí)際上，時(shí)間是關(guān)鍵因素。芯片制造商沒(méi)有時(shí)間去研究這些新材料和新功能，并將他們引進(jìn)到半導(dǎo)體工藝中，通過(guò)學(xué)習(xí)曲線進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼希缓笊a(chǎn)出新的芯片，最后投向市場(chǎng)?！盇xcelis?Tech"text-indent:2em;">
現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)了一些新材料的變化，例如高k電介質(zhì)和金屬柵極。看起來(lái)它們將同時(shí)被采用，甚至有人認(rèn)為沒(méi)有兩者互相配合就不可能根本解決問(wèn)題?！皢?wèn)題是這一技術(shù)尚未完善，還不能正常ぷ鰲！盌ip說(shuō)，“高k電介質(zhì)在硅表面的電學(xué)響應(yīng)非常復(fù)雜，而且電介質(zhì)變薄會(huì)降低MOSFET通道遷移率。因此，使電介質(zhì)繼續(xù)變薄或采用高k電介質(zhì)可能都是行不通的。如果你想消除漏電流，你就必須提高功耗，將驅(qū)動(dòng)電流提高到合適的水平。但是高k電介質(zhì)的很多優(yōu)點(diǎn)就發(fā)揮不出來(lái)了?！备遦電介質(zhì)仍然是遙遠(yuǎn)的夢(mèng)想。高k電介質(zhì)成為未來(lái)技術(shù)的可能性越來(lái)越小。一些領(lǐng)先的IDM公司準(zhǔn)備采用新穎的應(yīng)變層技術(shù)。現(xiàn)在，他們生產(chǎn)的所有晶體管都采用氮化氧化硅作為柵極電介質(zhì)，他們準(zhǔn)備通過(guò)應(yīng)變層技術(shù)--而不是高k電介質(zhì)--進(jìn)一步改善其性能。??


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